Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
InventChip IV2Q06060D7Z
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IV2Q06060D7Z |
| رقم قطعة EBEE | E822368190 |
| الحزمة | TO-263-7 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2920 | $ 8.2920 |
| 10+ | $8.0928 | $ 80.9280 |
| 30+ | $7.9594 | $ 238.7820 |
| 100+ | $7.8261 | $ 782.6100 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | InventChip IV2Q06060D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 78mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 7.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 174W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.218nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 64nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2920 | $ 8.2920 |
| 10+ | $8.0928 | $ 80.9280 |
| 30+ | $7.9594 | $ 238.7820 |
| 100+ | $7.8261 | $ 782.6100 |
