Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IPB048N15N5LFATMA1 |
| رقم قطعة EBEE | E83289235 |
| الحزمة | TO-263-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 150V 115A 313W 4.8mΩ@10V,100A 4.9V@255uA 1 N-channel TO-263-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6094 | $ 11.6094 |
| 10+ | $11.2372 | $ 112.3720 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | Infineon IPB048N15N5LFATMA1 | |
| RoHS |  | |
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 150V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 115A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 4.8mΩ@10V,100A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 313W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4.9V@255uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 23pF@75V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 380pF@75V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 84nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6094 | $ 11.6094 |
| 10+ | $11.2372 | $ 112.3720 |
