Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | S34ML02G100BHI003 |
| رقم قطعة EBEE | E82759941 |
| الحزمة | BGA-63 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 2.7V~3.6V 2Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>15 في المخزن للشحن السريع
15 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5090 | $ 4.5090 |
| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
| 1000+ | $2.5592 | $ 2559.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الذاكرة ,ناند فلاش | |
| ورقة البيانات | Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+85℃ | |
| واجهة | - | |
| الجهد - العرض | 2.7V~3.6V | |
| تردد الساعة | - | |
| حجم الذاكرة | 2Gbit | |
| وقت برمجة الصفحة (Tpp) | 200us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
دليل التسوق
توسيع
15 Stock for Shipping Fast
15 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5090 | $ 4.5090 |
| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
| 1000+ | $2.5592 | $ 2559.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
