Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET SI2301-ZE
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SI2301-ZE |
| رقم قطعة EBEE | E85261052 |
| الحزمة | SOT-23 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| الوصف | 20V 2.3A 700mW 126mΩ@4.5V 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>204100 في المخزن للشحن السريع
204100 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0101 | $ 1.0100 |
| 1000+ | $0.0090 | $ 9.0000 |
| 3000+ | $0.0070 | $ 21.0000 |
| 9000+ | $0.0066 | $ 59.4000 |
| 51000+ | $0.0063 | $ 321.3000 |
| 99000+ | $0.0062 | $ 613.8000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET SI2301-ZE | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS(on) | 120mΩ@4.5V;145mΩ@2.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 32pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 700mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
دليل التسوق
توسيع
204100 Stock for Shipping Fast
204100 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0101 | $ 1.0100 |
| 1000+ | $0.0090 | $ 9.0000 |
| 3000+ | $0.0070 | $ 21.0000 |
| 9000+ | $0.0066 | $ 59.4000 |
| 51000+ | $0.0063 | $ 321.3000 |
| 99000+ | $0.0062 | $ 613.8000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
