12% off
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC3D06065E |
| رقم قطعة EBEE | E822449555 |
| الحزمة | TO-252-2L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 650V Independent Type 1.3V@6A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3609 | $ 1.3609 |
| 10+ | $1.1387 | $ 11.3870 |
| 30+ | $1.0172 | $ 30.5160 |
| 100+ | $0.8803 | $ 88.0300 |
| 500+ | $0.8188 | $ 409.4000 |
| 1000+ | $0.7909 | $ 790.9000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC3D06065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@6A | |
| Current - Rectified | 23A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 48A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3609 | $ 1.3609 |
| 10+ | $1.1387 | $ 11.3870 |
| 30+ | $1.0172 | $ 30.5160 |
| 100+ | $0.8803 | $ 88.0300 |
| 500+ | $0.8188 | $ 409.4000 |
| 1000+ | $0.7909 | $ 790.9000 |
