15% off
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC1D08065N |
| رقم قطعة EBEE | E841428798 |
| الحزمة | QPFN-8(5x6) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4218 | $ 3.4218 |
| 10+ | $2.9256 | $ 29.2560 |
| 30+ | $2.6305 | $ 78.9150 |
| 100+ | $2.3315 | $ 233.1500 |
| 500+ | $2.1939 | $ 1096.9500 |
| 1000+ | $2.1317 | $ 2131.7000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC1D08065N | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@8A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 55A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4218 | $ 3.4218 |
| 10+ | $2.9256 | $ 29.2560 |
| 30+ | $2.6305 | $ 78.9150 |
| 100+ | $2.3315 | $ 233.1500 |
| 500+ | $2.1939 | $ 1096.9500 |
| 1000+ | $2.1317 | $ 2131.7000 |
