Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HARRIS RFP4N06
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RFP4N06 |
| رقم قطعة EBEE | E83290236 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 4A 800mΩ@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3915 | $ 0.3915 |
| 200+ | $0.1516 | $ 30.3200 |
| 500+ | $0.1462 | $ 73.1000 |
| 1000+ | $0.1435 | $ 143.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| ورقة البيانات | HARRIS RFP4N06 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V,4A | |
| Power Dissipation (Pd) | 25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 200pF@25V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3915 | $ 0.3915 |
| 200+ | $0.1516 | $ 30.3200 |
| 500+ | $0.1462 | $ 73.1000 |
| 1000+ | $0.1435 | $ 143.5000 |
