Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HARRIS RFM12P10
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RFM12P10 |
| رقم قطعة EBEE | E83291249 |
| الحزمة | TO-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 12A 300mΩ@10V,6A 100W 4V@1mA 1 Piece P-Channel TO-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2093 | $ 2.2093 |
| 200+ | $0.8554 | $ 171.0800 |
| 500+ | $0.8251 | $ 412.5500 |
| 1000+ | $0.8110 | $ 811.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| ورقة البيانات | HARRIS RFM12P10 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@10V,6A | |
| Power Dissipation (Pd) | 100W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@1mA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@25V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2093 | $ 2.2093 |
| 200+ | $0.8554 | $ 171.0800 |
| 500+ | $0.8251 | $ 412.5500 |
| 1000+ | $0.8110 | $ 811.0000 |
