Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SVF4N65CAF |
| رقم قطعة EBEE | E8467748 |
| الحزمة | TO-220F-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 650V 4A 2.3Ω@10V,2A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>65 في المخزن للشحن السريع
65 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3982 | $ 0.3982 |
| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
| 500+ | $0.2106 | $ 105.3000 |
| 1000+ | $0.1983 | $ 198.3000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 2.3Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 4.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V;4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 430pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
65 Stock for Shipping Fast
65 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3982 | $ 0.3982 |
| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
| 500+ | $0.2106 | $ 105.3000 |
| 1000+ | $0.1983 | $ 198.3000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
