Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SVF4N60CAD |
| رقم قطعة EBEE | E8467746 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-252 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>190 في المخزن للشحن السريع
190 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 5000+ | $0.1606 | $ 803.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 2Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 433pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
190 Stock for Shipping Fast
190 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 5000+ | $0.1606 | $ 803.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
