Hot
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SGT50T65FD1PN |
| رقم قطعة EBEE | E82761787 |
| الحزمة | TO-3P-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>5367 في المخزن للشحن السريع
5367 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| ورقة البيانات | Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 5V | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@15V | |
| Td(off) | 130ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 42pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 33ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 100pF |
دليل التسوق
توسيع
5367 Stock for Shipping Fast
5367 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
