Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
GOSEMICON GBS65060TOA
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GBS65060TOA |
| رقم قطعة EBEE | E87426972 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 650V 23A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.6V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>155 في المخزن للشحن السريع
155 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4088 | $ 3.4088 |
| 10+ | $2.9139 | $ 29.1390 |
| 50+ | $2.6205 | $ 131.0250 |
| 100+ | $2.3239 | $ 232.3900 |
| 500+ | $2.1859 | $ 1092.9500 |
| 1000+ | $2.1240 | $ 2124.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | GOSEMICON GBS65060TOA | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 55mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 329W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC |
دليل التسوق
توسيع
155 Stock for Shipping Fast
155 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4088 | $ 3.4088 |
| 10+ | $2.9139 | $ 29.1390 |
| 50+ | $2.6205 | $ 131.0250 |
| 100+ | $2.3239 | $ 232.3900 |
| 500+ | $2.1859 | $ 1092.9500 |
| 1000+ | $2.1240 | $ 2124.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
