15% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
GOFORD GT080N10K
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GT080N10K |
| رقم قطعة EBEE | E82840755 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 75A 10mΩ@4.5V,50A 100W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5117 | $ 0.5117 |
| 10+ | $0.4129 | $ 4.1290 |
| 30+ | $0.3630 | $ 10.8900 |
| 100+ | $0.3130 | $ 31.3000 |
| 500+ | $0.2835 | $ 141.7500 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | GOFORD GT080N10K | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 8mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 19pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.056nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5117 | $ 0.5117 |
| 10+ | $0.4129 | $ 4.1290 |
| 30+ | $0.3630 | $ 10.8900 |
| 100+ | $0.3130 | $ 31.3000 |
| 500+ | $0.2835 | $ 141.7500 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
