15% off
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HY1908D-VB |
| EBEE Parça No. | E819632121 |
| Paket | TO-252 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | 80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Veri Sayfası | VBsemi Elec HY1908D-VB | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 8.7mΩ@5V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@6V |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
