Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
STMicroelectronics STB30N65DM6AG
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | STB30N65DM6AG |
| EBEE Parça No. | E83288192 |
| Paket | D2PAK(TO-263) |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | 650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7796 | $ 4.7796 |
| 10+ | $4.6619 | $ 46.6190 |
| 30+ | $4.5819 | $ 137.4570 |
| 100+ | $4.5020 | $ 450.2000 |
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Veri Sayfası | ST STB30N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 115mΩ@10V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 223W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7796 | $ 4.7796 |
| 10+ | $4.6619 | $ 46.6190 |
| 30+ | $4.5819 | $ 137.4570 |
| 100+ | $4.5020 | $ 450.2000 |
