Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi HGTG11N120CND
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HGTG11N120CND |
| EBEE Parça No. | E811755 |
| Paket | TO-247AC-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | 298W 43A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-247AC-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>168 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
168 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0366 | $ 4.0366 |
| 10+ | $3.5033 | $ 35.0330 |
| 30+ | $3.1853 | $ 95.5590 |
| 90+ | $2.8640 | $ 257.7600 |
| 450+ | $2.7162 | $ 1222.2900 |
| 900+ | $2.6504 | $ 2385.3600 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Veri Sayfası | onsemi HGTG11N120CND | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@90uA | |
| Pd - Power Dissipation | 298W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@15V | |
| Td(off) | 240ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 70ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.3mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 950uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
168 Stock for Shipping Fast
168 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0366 | $ 4.0366 |
| 10+ | $3.5033 | $ 35.0330 |
| 30+ | $3.1853 | $ 95.5590 |
| 90+ | $2.8640 | $ 257.7600 |
| 450+ | $2.7162 | $ 1222.2900 |
| 900+ | $2.6504 | $ 2385.3600 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
