Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | S34ML01G200BHI000 |
| EBEE Parça No. | E8117901 |
| Paket | BGA-63 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Açıklama | 2.7V~3.6V 1Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Hafıza ,NAND FLASH | |
| Veri Sayfası | Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000 | |
| RoHS | ||
| Çalışma sıcaklığı | -40℃~+85℃ | |
| Arayüz | - | |
| Gerilim - Tedarik | 2.7V~3.6V | |
| Saat Frekansı | - | |
| Hafıza Boyutu | 1Gbit | |
| Sayfa Programlama Süresi (Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
