7% off
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC1D08065E |
| EBEE Parça No. | E841428786 |
| Paket | TO-252-2L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5489 | $ 1.5489 |
| 10+ | $1.2964 | $ 12.9640 |
| 30+ | $1.1577 | $ 34.7310 |
| 100+ | $1.0011 | $ 100.1100 |
| 500+ | $0.9318 | $ 465.9000 |
| 1000+ | $0.8993 | $ 899.3000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC1D08065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5489 | $ 1.5489 |
| 10+ | $1.2964 | $ 12.9640 |
| 30+ | $1.1577 | $ 34.7310 |
| 100+ | $1.0011 | $ 100.1100 |
| 500+ | $0.9318 | $ 465.9000 |
| 1000+ | $0.8993 | $ 899.3000 |
