| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IRF640 |
| EBEE Parça No. | E817702911 |
| Paket | TO-220-3L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | 200V 18A 0.125Ω@10V,11A 2W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3505 | $ 0.3505 |
| 10+ | $0.2737 | $ 2.7370 |
| 50+ | $0.2506 | $ 12.5300 |
| 100+ | $0.2091 | $ 20.9100 |
| 500+ | $0.1906 | $ 95.3000 |
| 1000+ | $0.1799 | $ 179.9000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Veri Sayfası | GOODWORK IRF640 | |
| RoHS | ||
| Tip | - | |
| Yapılandırma | - | |
| RDS (on) | 180mΩ@10V | |
| Çalışma sıcaklığı - | - | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3505 | $ 0.3505 |
| 10+ | $0.2737 | $ 2.7370 |
| 50+ | $0.2506 | $ 12.5300 |
| 100+ | $0.2091 | $ 20.9100 |
| 500+ | $0.1906 | $ 95.3000 |
| 1000+ | $0.1799 | $ 179.9000 |
