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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F1D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 3DD13003F1D |
| Código da Peça EBEE | E8162352 |
| Pacote | TO-92-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.5A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0495 | $ 0.0495 |
| 10+ | $0.0430 | $ 0.4300 |
| 30+ | $0.0397 | $ 1.1910 |
| 100+ | $0.0373 | $ 3.7300 |
| 500+ | $0.0353 | $ 17.6500 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,Bipolar (BJT) | |
| Folha de Dados | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F1D | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 1.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 800mW | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 100uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 400V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 15@200mA,5V | |
| Frequência de Transição (fT) | 5MHz | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 300mV@500mA,100mA | |
| Tipo do transistor | NPN+PNP |
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| 30+ | $0.0397 | $ 1.1910 |
| 100+ | $0.0373 | $ 3.7300 |
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