| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 3DD13003E1D-BD |
| Código da Peça EBEE | E8176705 |
| Pacote | TO-92-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,Bipolar (BJT) | |
| Folha de Dados | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 1.3A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 800mW | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 100uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 400V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 15@200mA,5V | |
| Frequência de Transição (fT) | 5MHz | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 400mV@500mA,100mA | |
| Tipo do transistor | NPN+PNP |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
