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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | WSB5558N-2/TR |
| Código da Peça EBEE | E8240198 |
| Pacote | DFN1006-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0463 | $ 0.4630 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Os diodos ,Diodos de Schottky | |
| Folha de Dados | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 30uA@30V | |
| Configuração do diodo | Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 450mV@100mA | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A |
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