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Vishay Intertech SI3552DV-T1-GE3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI3552DV-T1-GE3 |
| Código da Peça EBEE | E8727510 |
| Pacote | TSOP-6 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 2.5A 0.2Ω@10V,1.8A 730mW 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel TSOP-6-1.7mm MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4982 | $ 0.4982 |
| 10+ | $0.3973 | $ 3.9730 |
| 30+ | $0.3531 | $ 10.5930 |
| 100+ | $0.2980 | $ 29.8000 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
| 1000+ | $0.2601 | $ 260.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | VISHAY SI3552DV-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | N-Channel + P-Channel | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 730mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A |
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| 10+ | $0.3973 | $ 3.9730 |
| 30+ | $0.3531 | $ 10.5930 |
| 100+ | $0.2980 | $ 29.8000 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
| 1000+ | $0.2601 | $ 260.1000 |
