Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Texas Instruments CSD88539ND
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CSD88539ND |
| Código da Peça EBEE | E82867030 |
| Pacote | SOIC-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 11.7A 2.1W 27mΩ@6V,5A 3V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>378 Em Estoque para Envio Rápido
378 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6934 | $ 0.6934 |
| 10+ | $0.5702 | $ 5.7020 |
| 30+ | $0.5086 | $ 15.2580 |
| 100+ | $0.4470 | $ 44.7000 |
| 500+ | $0.3933 | $ 196.6500 |
| 1000+ | $0.3744 | $ 374.4000 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | TI CSD88539ND | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.6pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Output Capacitance(Coss) | 91pF |
Guia de Compras
Expandir
378 Stock for Shipping Fast
378 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6934 | $ 0.6934 |
| 10+ | $0.5702 | $ 5.7020 |
| 30+ | $0.5086 | $ 15.2580 |
| 100+ | $0.4470 | $ 44.7000 |
| 500+ | $0.3933 | $ 196.6500 |
| 1000+ | $0.3744 | $ 374.4000 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
