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STMicroelectronics SH32N65DM6AG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SH32N65DM6AG |
| Código da Peça EBEE | E85268689 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 32A 208W 89mΩ@10V,23A 3.25V@250uA MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | ST SH32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 32A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 89mΩ@10V,23A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 208W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.3pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2211pF | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 47nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
