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STMicroelectronics PD57060S-E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | PD57060S-E |
| Código da Peça EBEE | E82970400 |
| Pacote | PowerSO-10 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 65V 7A 2V@100mA 1 N-channel PowerSO-10 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,RF FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST PD57060S-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Configuração | - | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 65V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 7A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | - | |
| Dissipação de potência (Pd) | - | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2V@100mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | - | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | - |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
