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Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | K4FBE3D4HM-MGCJ |
| Código da Peça EBEE | E819188580 |
| Pacote | BGA-200 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | BGA-200 DRAM ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Memória de um ,DRAM | |
| Folha de Dados | Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -25℃~+85℃ | |
| Tensão - Fornecimento | 1.7V~1.95V;1.06V~1.17V | |
| Tamanho da memória | 32Gbit | |
| Formato de memória | LPDDR4 SDRAM | |
| Atual de atualização | 1mA;2.7mA;400uA | |
| Corrente - Fornecimento | 10mA;65mA;500uA |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
