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ROHM Semicon EMG3T2R
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | EMG3T2R |
| Código da Peça EBEE | E82941610 |
| Pacote | SOT-553-5 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100@1mA,5V 150mW 100mA 50V SOT-553-5 Digital Transistors ROHS |
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6600 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0982 | $ 4.9100 |
| 150+ | $0.0925 | $ 13.8750 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0694 | $ 347.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Folha de Dados | ROHM EMG3T2R | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | NPN | |
| Resistor de entrada | 4.7kΩ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
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