| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NP28N10SDE-E1-AY |
| Código da Peça EBEE | E87321212 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 28A 52mΩ@10V,14A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | RENESAS NP28N10SDE-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+175℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 100V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 28A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 52mΩ@10V,14A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.2W;100W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 3.3nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 75nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
