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onsemi TIP32BG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | TIP32BG |
| Código da Peça EBEE | E8897231 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 80V 2W 10@3A,4V 3A PNP TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9834 | $ 0.9834 |
| 200+ | $0.3817 | $ 76.3400 |
| 500+ | $0.3674 | $ 183.7000 |
| 1000+ | $0.3604 | $ 360.4000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | onsemi TIP32BG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 3A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 2W | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 300uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 80V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 10@3A,4V | |
| Frequência de Transição (fT) | 3MHz | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 1.2V@3A,375mA | |
| Tipo do transistor | PNP |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9834 | $ 0.9834 |
| 200+ | $0.3817 | $ 76.3400 |
| 500+ | $0.3674 | $ 183.7000 |
| 1000+ | $0.3604 | $ 360.4000 |
