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onsemi MJD117-1G
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MJD117-1G |
| Código da Peça EBEE | E8146794 |
| Pacote | DPAK-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 1000@3V,2A PNP 2A 1.75W DPAK-3 Darlington Transistors ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1264 | $ 0.6320 |
| 50+ | $0.1236 | $ 6.1800 |
| 150+ | $0.1218 | $ 18.2700 |
| 500+ | $0.1201 | $ 60.0500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,Os transistores de Darlington | |
| Folha de Dados | onsemi MJD117-1G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo do transistor | PNP | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 2A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.75W | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Vce, Ic) | 1000@3V,2A | |
| Tensão do coletor-emitter (Vceo) | 100V | |
| Frequência de transição (fT) | 25MHz | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo-Vcb) | 20uA | |
| Tensão de saturação de emitentes de coletor (VCE(sat) ?Ic, Ib) | 3V@4A,40mA |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 5+ | $0.1264 | $ 0.6320 |
| 50+ | $0.1236 | $ 6.1800 |
| 150+ | $0.1218 | $ 18.2700 |
| 500+ | $0.1201 | $ 60.0500 |
