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NXP Semicon BC856B/DG/B3235
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | BC856B/DG/B3235 |
| Código da Peça EBEE | E83201064 |
| Pacote | TO-236AB |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 65V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,Bipolar (BJT) | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 100mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 250mW | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 15nA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 65V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 125@2mA,5V | |
| Frequência de Transição (fT) | 100MHz | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 650mV@100mA,5mA | |
| Tipo do transistor | PNP |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
