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NTE ELECTRONICS, INC. NTE180
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NTE180 |
| Código da Peça EBEE | E86721648 |
| Pacote | TO-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 200W [email protected],2V 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | NTE Electronics NTE180 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 30A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 200W | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 1mA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 100V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | [email protected],2V | |
| Frequência de Transição (fT) | 2MHz | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 800mV@750mA,7.5A | |
| Tipo do transistor | PNP |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
