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NTE ELECTRONICS, INC. BDV65
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | BDV65 |
| Código da Peça EBEE | E85596252 |
| Pacote | TO-218 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 125W 1000@5A,4V 12A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9704 | $ 6.9704 |
| 200+ | $2.7813 | $ 556.2600 |
| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | NTE Electronics BDV65 | |
| RoHS | ||
| Corrente do Colecionador (Ic) | 12A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 125W | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 60V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 1000@5A,4V | |
| Frequência de Transição (fT) | 60MHz | |
| Tipo do transistor | NPN |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9704 | $ 6.9704 |
| 200+ | $2.7813 | $ 556.2600 |
| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
