| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | JANSR2N3501L |
| Código da Peça EBEE | E83201393 |
| Pacote | TO-5 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $375.7915 | $ 375.7915 |
| 200+ | $145.4260 | $ 29085.2000 |
| 500+ | $140.3156 | $ 70157.8000 |
| 1000+ | $137.7907 | $ 137790.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | MICROCHIP JANSR2N3501L | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 300mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1W | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 10uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 150V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequência de Transição (fT) | - | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Tipo do transistor | NPN |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $375.7915 | $ 375.7915 |
| 200+ | $145.4260 | $ 29085.2000 |
| 500+ | $140.3156 | $ 70157.8000 |
| 1000+ | $137.7907 | $ 137790.7000 |
