| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | JANS2N2219A |
| Código da Peça EBEE | E83201210 |
| Pacote | TO-39(TO-205AD) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 50V 800W 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $183.2175 | $ 183.2175 |
| 200+ | $70.9022 | $ 14180.4400 |
| 500+ | $68.4110 | $ 34205.5000 |
| 1000+ | $67.1796 | $ 67179.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | MICROCHIP JANS2N2219A | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 800mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 800W | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 10nA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 50V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequência de Transição (fT) | - | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Tipo do transistor | NPN |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $183.2175 | $ 183.2175 |
| 200+ | $70.9022 | $ 14180.4400 |
| 500+ | $68.4110 | $ 34205.5000 |
| 1000+ | $67.1796 | $ 67179.6000 |
