| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | JANKCB2N3439 |
| Código da Peça EBEE | E83201236 |
| Pacote | TO-39(TO-205AD) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.2417 | $ 67.2417 |
| 200+ | $26.0219 | $ 5204.3800 |
| 500+ | $25.1081 | $ 12554.0500 |
| 1000+ | $24.6555 | $ 24655.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | MICROCHIP JANKCB2N3439 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 1A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 800mW | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 2uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 350V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 40@20mA,10V | |
| Frequência de Transição (fT) | - | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Tipo do transistor | NPN |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.2417 | $ 67.2417 |
| 200+ | $26.0219 | $ 5204.3800 |
| 500+ | $25.1081 | $ 12554.0500 |
| 1000+ | $24.6555 | $ 24655.5000 |
