| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM50HM65FT3G |
| Código da Peça EBEE | E817597502 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 51A 78mΩ@10V,25.5A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $352.7571 | $ 352.7571 |
| 200+ | $140.7538 | $ 28150.7600 |
| 500+ | $136.0490 | $ 68024.5000 |
| 1000+ | $133.7253 | $ 133725.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 4 N-channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 51A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 78mΩ@10V,25.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 390W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 7nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 140nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $352.7571 | $ 352.7571 |
| 200+ | $140.7538 | $ 28150.7600 |
| 500+ | $136.0490 | $ 68024.5000 |
| 1000+ | $133.7253 | $ 133725.3000 |
