| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM50H14FT3G |
| Código da Peça EBEE | E85948976 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 26A 168mΩ@10V,13A 208W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $216.6269 | $ 216.6269 |
| 200+ | $86.4361 | $ 17287.2200 |
| 500+ | $83.5487 | $ 41774.3500 |
| 1000+ | $82.1215 | $ 82121.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM50H14FT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 4 N-channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 26A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 168mΩ@10V,13A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 208W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@1mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 3.259nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 72nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $216.6269 | $ 216.6269 |
| 200+ | $86.4361 | $ 17287.2200 |
| 500+ | $83.5487 | $ 41774.3500 |
| 1000+ | $82.1215 | $ 82121.5000 |
