Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Microchip Tech APTM50H10FT3G
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM50H10FT3G |
| Código da Peça EBEE | E817536902 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 37A 120mΩ@10V,18.5A 312W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 4 N-channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 37A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 312W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@1mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 4.367nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
Guia de Compras
Expandir
Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
