| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM50AM35FTG |
| Código da Peça EBEE | E817630282 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 99A 781W 39mΩ@10V,49.5A 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $594.5621 | $ 594.5621 |
| 200+ | $237.2344 | $ 47446.8800 |
| 500+ | $229.3071 | $ 114653.5500 |
| 1000+ | $225.3897 | $ 225389.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 99A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 39mΩ@10V,49.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 781W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@5mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 14nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 280nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $594.5621 | $ 594.5621 |
| 200+ | $237.2344 | $ 47446.8800 |
| 500+ | $229.3071 | $ 114653.5500 |
| 1000+ | $225.3897 | $ 225389.7000 |
