| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM20DUM05G |
| Código da Peça EBEE | E85569628 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 317A 1.136kW 6mΩ@10V,158.5A 3V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM20DUM05G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 200V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 317A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 6mΩ@10V,158.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.136kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@10mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 27.4nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 448nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
