| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM20AM10STG |
| Código da Peça EBEE | E817384116 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 175A 694W 12mΩ@10V,87.5A 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $394.8564 | $ 394.8564 |
| 200+ | $157.5507 | $ 31510.1400 |
| 500+ | $152.2867 | $ 76143.3500 |
| 1000+ | $149.6843 | $ 149684.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 200V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 175A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 12mΩ@10V,87.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 694W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@5mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 13.7nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 224nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $394.8564 | $ 394.8564 |
| 200+ | $157.5507 | $ 31510.1400 |
| 500+ | $152.2867 | $ 76143.3500 |
| 1000+ | $149.6843 | $ 149684.3000 |
