| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM20AM06SG |
| Código da Peça EBEE | E817330978 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 300A 1.25kW 7.2mΩ@10V,150A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,016.9766 | $ 1016.9766 |
| 200+ | $405.7814 | $ 81156.2800 |
| 500+ | $392.2210 | $ 196110.5000 |
| 1000+ | $385.5217 | $ 385521.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 200V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 300A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 7.2mΩ@10V,150A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.25kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@6mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 18.5nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 325nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,016.9766 | $ 1016.9766 |
| 200+ | $405.7814 | $ 81156.2800 |
| 500+ | $392.2210 | $ 196110.5000 |
| 1000+ | $385.5217 | $ 385521.7000 |
