| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM120H29FG |
| Código da Peça EBEE | E817572625 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.2kV 34A 348mΩ@10V,17A 780W 5V@5mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,230.4675 | $ 1230.4675 |
| 200+ | $490.9642 | $ 98192.8400 |
| 500+ | $474.5592 | $ 237279.6000 |
| 1000+ | $466.4525 | $ 466452.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 4 N-channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 34A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 348mΩ@10V,17A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 780W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@5mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 10.3nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 374nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,230.4675 | $ 1230.4675 |
| 200+ | $490.9642 | $ 98192.8400 |
| 500+ | $474.5592 | $ 237279.6000 |
| 1000+ | $466.4525 | $ 466452.5000 |
