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Microchip Tech APTM100H45FT3G
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM100H45FT3G |
| Código da Peça EBEE | E817547533 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1kV 18A 540mΩ@10V,9A 357W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $349.1828 | $ 349.1828 |
| 200+ | $139.3272 | $ 27865.4400 |
| 500+ | $134.6712 | $ 67335.6000 |
| 1000+ | $132.3702 | $ 132370.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM100H45FT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 4 N-channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 18A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 540mΩ@10V,9A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 357W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 4.35nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 154nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $349.1828 | $ 349.1828 |
| 200+ | $139.3272 | $ 27865.4400 |
| 500+ | $134.6712 | $ 67335.6000 |
| 1000+ | $132.3702 | $ 132370.2000 |
