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Microchip Tech APTM100A13DG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM100A13DG |
| Código da Peça EBEE | E817570354 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1kV 65A 1.25kW 156mΩ@10V,32.5A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 65A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.25kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@6mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 15.2nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 562nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
