| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTC60TAM35PG |
| Código da Peça EBEE | E85569561 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 72A 416W 35mΩ@10V,72A [email protected] 6 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $824.1713 | $ 824.1713 |
| 200+ | $328.8499 | $ 65769.9800 |
| 500+ | $317.8610 | $ 158930.5000 |
| 1000+ | $312.4312 | $ 312431.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTC60TAM35PG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 6 N-Channel | |
| Configuração | Three-Phase Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 72A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 35mΩ@10V,72A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 416W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 14nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 518nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $824.1713 | $ 824.1713 |
| 200+ | $328.8499 | $ 65769.9800 |
| 500+ | $317.8610 | $ 158930.5000 |
| 1000+ | $312.4312 | $ 312431.2000 |
