| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTC60AM45T1G |
| Código da Peça EBEE | E817581676 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 49A 250W 45mΩ@10V,24.5A 3.9V@3mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $214.2417 | $ 214.2417 |
| 200+ | $85.4842 | $ 17096.8400 |
| 500+ | $82.6275 | $ 41313.7500 |
| 1000+ | $81.2166 | $ 81216.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 49A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 45mΩ@10V,24.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 250W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3.9V@3mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 7.2nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 150nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $214.2417 | $ 214.2417 |
| 200+ | $85.4842 | $ 17096.8400 |
| 500+ | $82.6275 | $ 41313.7500 |
| 1000+ | $81.2166 | $ 81216.6000 |
