| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 2N5416S |
| Código da Peça EBEE | E83201228 |
| Pacote | TO-39(TO-205AD) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 300V 750mW 30@50mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | MICROCHIP 2N5416S | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | - | |
| Dissipação de potência (Pd) | 750mW | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 50uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 300V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 30@50mA,10V | |
| Frequência de Transição (fT) | - | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| Tipo do transistor | PNP |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
